怎么自己制作一个小型漏电保护器

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...接式晶闸管管芯及制作方法”专利,降低管芯在高温动态下测试的漏电流金融界2024 年8 月25 日消息,天眼查知识产权信息显示,黄山芯微电子股份有限公司取得一项名为“一种压接式晶闸管管芯及制作方法“授权是什么。 不合格芯片钼片经过处理后再次利用。电压槽采用三层保护,降低管芯在高温动态下测试的漏电流;钼片钛镍银多层金属保护防止氧化,降低了热是什么。

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华羿微电子申请抑制中压 SGT MOSFET 横向漏电终端设计结构专利,...制作方法及应用”的专利,公开号CN 118919555 A,申请日期为2024 年10 月。专利摘要显示,本发明公开了抑制中压SGT MOSFET 横向漏电的终端设计结构、制作方法及应用,该终端设计结构通过在终端沟槽保护环阵列底部处进行低能量离子注入,从而形成低能量离子注入层,低能量离还有呢?

湖南蓝芯微电子申请降低漏电风险的高压发光二极管专利,降低漏电风险本发明涉及发光二极管芯片制备技术领域,具体涉及降低漏电风险的高压发光二极管及其制备方法。其方法包括在衬底上依次生长N型GaN层、发光量子阱及P型GaN层;制作N区台阶、绝缘刻蚀道及绝缘保护孔;刻蚀成形电流阻挡层和电流扩展层,提高了可靠性,减少金线焊接,减少安全保护后面会介绍。

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