怎么自己制作电阻_怎么自己制作电动车拖车杆

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广州奥松电子取得绝对湿度传感器、热敏电阻及热敏电阻的制作方法...金融界2024年8月20日消息,天眼查知识产权信息显示,广州奥松电子股份有限公司取得一项名为“绝对湿度传感器、热敏电阻及热敏电阻的制作方法“授权公告号CN108461237B,申请日期为2017年12月。专利摘要显示,本发明提供绝对湿度传感器,包括:第一测量单元和第二测量单元,第后面会介绍。

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汇芯半导体取得一种内置驱动电阻的半导体电路及其制作方法专利金融界2024年11月16日消息,国家知识产权局信息显示,广东汇芯半导体有限公司取得一项名为“一种内置驱动电阻的半导体电路及其制作方法”的专利,授权公告号CN 114664774 B,申请日期为2022年3月。

...存储申请集成电路的布局结构及其制作方法专利,降低整个结构的电阻金融界2024 年11 月22 日消息,国家知识产权局信息显示,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“集成电路的布局结构及其制作方法”的专利是什么。 金属硅化物部在基底表面的正投影与栅极在基底表面的正投影间隔设置,第二金属硅化物部与共源漏极区连接。可以降低整个结构的电阻。

...互感器申请一种电压互感器制作方法专利,减小了一次绕组的电阻压降金融界2024年12月2日消息,国家知识产权局信息显示,江苏靖江互感器股份有限公司申请一项名为“一种电压互感器制作方法”的专利,公开号是什么。 将所述第一段起绕端和第二段起绕端并联,将所述第一段末端和第二段末端并联。本申请的方法减小了一次绕组的电阻压降,也减小了绕组的径是什么。

京东方申请显示面板及其制作方法、显示装置专利,减小发光单元电阻...金融界2024年10月25日消息,国家知识产权局信息显示,京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“显示面板及其制作方法、显示装置”的专后面会介绍。 第二子层具有反射能力,第二电极具有半透半反能力,第二子层和第二电极之间形成谐振腔。本申请可以减小发光单元的电阻,利于降低显示面板后面会介绍。

...导体取得一种半导体结构及其制作方法专利,降低了工艺成本和接触电阻本发明的半导体结构及其制作方法形成位于第一掺杂区与第一连接层、第二掺杂区与第二连接层之间的隧穿氧化层,形成隧穿氧化层的工艺要求低,降低了工艺成本,且形成的隧穿氧化层有效降低了接触电阻。

...及其制作方法显示装置专利,降低第一电极层的方块电阻,提高显示效果金融界2024年11月1日消息,国家知识产权局信息显示,维信诺科技股份有限公司申请一项名为“显示面板及其制作方法、显示装置”的专利,公说完了。 第一电极层包括借助隔断结构分隔的多个第一电极部,第一电极部借助于过孔与辅助电极电性导通。本申请能够降低第一电极层的方块电阻,从说完了。

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上海积塔半导体申请扩展电阻测试相关专利,提升测试准确度金融界2024年10月9日消息,国家知识产权局信息显示,上海积塔半导体有限公司申请一项名为“扩展电阻测试结构及其制作方法、扩展电阻测试方法”的专利,公开号CN 118746710 A,申请日期为2024 年6 月。专利摘要显示,本发明提供一种扩展电阻测试结构及其制作方法、扩展电阻测等我继续说。

叶知秋敏芯申请 NTC 热敏电阻相关专利,能提高电阻器精度且适合大...金融界2024 年11 月15 日消息,国家知识产权局信息显示,东莞市叶知秋敏芯科技有限公司申请一项名为“NTC 热敏电阻浆料制备及厚薄膜片式NTC 热敏电阻器的设计制作和无损修调方法”的专利,公开号CN 118942820 A,申请日期为2024 年8 月。专利摘要显示,本发明提供了一种负后面会介绍。

武汉新芯取得多晶硅电阻器件相关专利金融界2024年10月21日消息,国家知识产权局信息显示,武汉新芯集成电路股份有限公司取得一项名为“多晶硅电阻器件及其制作方法、光子检测器件及其制作方法”的专利,授权公告号CN 114284432 B,申请日期为2021年12月。

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